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Semana
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Temas a desarrollar |
Trabajo Práctico
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N°1
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Inicio clases, Presentación de la Asignatura, Repaso Física – Química | |
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N°2
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Modelo Atómico, Fotón, Dualidad Onda-Partícula, Ondas de De Broglie, Bohr, Schröedinger, Números cuánticos, Átomo Polielectrónico, Configuración Electrónica, Principio de Exclusión de Pauli, Mecanismos de Conducción eléctrica en gases | |
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N°3
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Mecanismos de Conducción eléctrica en gases |
TP1
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N°4
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Conducción en Gases, Unión Iónica, Covalente, Saturada y No Saturada, Bandas de Energía, Fermi, Conductores N(E), F(E), Vd Ohm | TP1 y TP2 |
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N°5
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Conductores N(E), F(E), Vd Ohm, dependencia con la temperatura, Ley de Ohm Microscópica. Semiconductores Intrínsecos N(E) y F(E), Movilidad, Conductividad dependencia con la temperatura |
TP2 y TP3 – Fermi y Conductores Ley de Ohm
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N°6
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Consultas – EVALUACIÓN I (23 de Abril de 2015) |
TP3 – Consulta |
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N°7
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Repaso Semiconductor Intrínsecos y Semiconductores Extrínsecos, Movilidad con T y Contaminación. NTC, PTC Pt100 |
TP4 –
Semiconductores intrínsecos |
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N°8
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Generación, Recombinación, Difusión, Ecuación Continuidad, JPN Diagrama corpuscular y de Bandas, JPN en Equilibrio, Ley de Juntura Vjo |
TP5 –
Semiconductores IDifusión y ICampo JPN Bandas Vjo |
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N°9
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Juntura PN Directo, Repaso JPN con Polarización Cero, Directa e Inversa |
TP6 –
JPN Directa |
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N°10
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Juntura PN Inversa, Ecuaciones, Poisson, Ruptura, Avalancha, Zener y Perforación |
TP7 – JPN Inversa |
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N°11
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Consulta – EVALUACIÓN II ( 28 de mayo de 2015) | Presentar Laboratorio |
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N°12
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Dependencia con T, CT, P+N Diodo Corto, Capacidad de Difusión CD, Control por Cargas, Juntura Metal Semiconductor |
TP8 – JPN, CD,rd, Ruptura Avalancha, Zener y Perforación |
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N°13
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DIODOS parámetros característicos |
TP9 – Juntura Metal Semiconductor |
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N°14
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Factores Térmicos |
TP10 – Diodos y Factores Térmicos |
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N°15
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Dieléctricos / Magnéticos |
TP11 – Dieléctricos y Magnéticos |
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N°16
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Consultas – EVALUACIÓN III ( 2 de Julio de 2015) |
